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J-GLOBAL ID：201002254451547091   整理番号：10A1146180

最新のロジックファブにおける欠陥の根本原因分析用のエネルギー(EDX)/波長(WDX)分散統合X線システムの利用

The use of integrated Energy (EDX) and Wavelength (WDX) Dispersive X-ray system for defects root cause analysis in an advanced Logic fab

著者 (5件)： PORAT Ronnie (Applied Materials) ,  PORST Andreas (Applied Materials) ,  LOHSE Joerg (Global Foundries) ,  MATKE Guido (Global Foundries) ,  REBIEN Matthias (Global Foundries)
資料名： IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop  (IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 2010  ページ： 123-128  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0718A  ISSN： 1078-8743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この10年以上,インラインSEM検査ツールに装置を一体構造化したEDX(エネルギー分散X線)システムが,欠陥と歩留り制限原因の究明とその低減に利用され,迅速で効率的な工場での検査設備の主力となりつつある。デバイスサイズのスケールダウンがつづくなかで問題がおおきくなりつつある欠陥のサイズの微細化が進み,精密なスペクトルデータの収集にかかる時間も増大している。半導体生産工場における高度な欠陥解析率を実現するには,極微細(50nm以下)粒子までも迅速にそれがどんな物質かの分析(MA)が要求される。本報告は,それぞれの分析技術の可能性と限界について検討するとともに,最新のEDXとWDXシステムの構成と性能を説明する。また,最新のEDXシステムを並列に一体化させたWDXシステムを活用する挑戦的なMA分析技術の事例を紹介した。最新のMA技術利用の4事例を述べている。

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  X線分析 ,  機器分析 ,  *インライン処理 ,  半導体プロセス ,  *ウエハ【IC】 ,  欠陥検査 ,  故障点標定 ,  *計測システム ,  材料試験 ,  自動試験 ,  技術進歩

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： ロジック ,  ファブ ,  欠陥 ,  根本原因分析 ,  エネルギー ,  EDX ,  波長 ,  統合 ,  X線システム