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J-GLOBAL ID：201002254523082315   整理番号：10A0595801

CdGa₂S₄におけるCr²⁺のゼロ磁場分裂パラメータへの微細構造準位及びスピン一重項寄与

The fine structure levels and spin-singlet contributions to zero-field-splitting parameters of Cr²⁺ ion in CdGa₂S₄

著者 (5件)： TAN Xiao-Ming (Ludong Univ., Yantai, CHN) ,  KUANG Xiao-Yu (Sichuan Univ., Chengdu, CHN) ,  ZHOU Kang-Wei (Sichuan Univ., Chengdu, CHN) ,  LIU Zi-Jiang (Lanzhou City Coll., Lanzhou, CHN) ,  QU Yu-Qiang (Yantai Engineering Technol. Coll., Yantai, CHN)
資料名： Philosophical Magazine  (Philosophical Magazine)
巻： 90  号： 9/10  ページ： 1289-1295  発行年： 2010年03月21日 
JST資料番号： E0753C  ISSN： 1478-6435  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： カドミウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *硫化物 ,  *クロム ,  イオン ,  *ゼロ磁場分裂 ,  微細構造 ,  対角化 ,  結晶場 ,  スピン-軌道相互作用 ,  ドーピング ,  磁性半導体 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *エネルギー行列 ,  スピン一重項 ,  電子-電子相互作用 ,  *希薄磁性半導体

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゼロ磁場分裂 ,  パラメータ ,  微細構造 ,  スピン一重項