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J-GLOBAL ID：201002254673677210   整理番号：10A1619989

InNの結晶体,無極性表面,およびナノワイヤ形状における電子特性と構造特性に対するその場補正の重要性

Importance of on-site corrections to the electronic and structural properties of InN in crystalline solid, nonpolar surface, and nanowire forms

著者 (4件)： TERENTJEVS A. (Politecnico of Torino, Torino, ITA) ,  CATELLANI A. (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  PRENDERGAST D. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CICERO G. (Politecnico of Torino, Torino, ITA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 16  ページ： 165307.1-165307.6  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *サイズ効果 ,  *バンド構造 ,  *ナノワイヤ ,  局所密度汎関数法 ,  補正 ,  分子軌道 ,  Brillouin帯 ,  非極性 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  格子定数 ,  最適化 ,  化合物半導体 ,  *表面
準シソーラス用語： d軌道 ,  LDA ,  LDA+U ,  第一原理計算 ,  無極性

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： InN ,  結晶体 ,  無極性 ,  ナノワイヤ ,  電子 ,  構造特性 ,  重要性