文献

J-GLOBAL ID：201002254684255783   整理番号：10A0978274

破壊前超low-κ多孔質SiCOH誘電膜劣化過程

Ultra-Low-k Porous SiCOH Dielectric Degradation Process before Breakdown

著者 (5件)： BREUER T. (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  KERST U. (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  BOIT C. (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  LANGER E. (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU) ,  RUELKE H. (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 88-93  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 破壊前の超low-κ(低誘電率)(ULK)多孔質SiCOH誘電膜の劣化について調べた。破壊前劣化の非常に早期段階について初めて解明し,ULK交互プロセスの基本プロセスモデルを提案した。ULK SiCOH誘電膜の2劣化パターン(陽極側線形界面での分解と空孔形成および誘電膜内空孔の形成)を観測した。劣化と破壊の位置を決定するため,先端電極試験構造を特殊設計した。fA範囲の電流の厳密な観測による階段状増加電圧ストレス試験を開発し,応用することに成功した。陽極側線形界面での分解と空孔形成の場合,電気ストレスが誘電膜改質と収縮の動的過程の原因でると考える。誘電膜の性能を評価する際に,その界面での分子構造を考慮する必要がある。誘電膜内空孔形成の場合,この空孔形成はプロセス(HF損傷)のみと関係し,電気ストレスにより増大することを示した。誘電膜劣化の想定した動的過程により,小形状サイズ用に用いた多孔質誘電膜の劣化の一般モデル開発の基本構造を得た。分子構造とプロセス固有の問題を考慮した精巧な方法が必要であることを示した。

シソーラス用語： *多孔性 ,  *絶縁破壊 ,  *絶縁劣化 ,  遅れ ,  *遅延特性 ,  RC回路 ,  *配線 ,  ポリジメチルシロキサン ,  *誘電体薄膜 ,  テスト構造 ,  漏れ電流 ,  分子構造 ,  空孔欠陥
準シソーラス用語： RC遅延

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 破壊 ,  誘電膜 ,  劣化過程