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J-GLOBAL ID：201002254686599692   整理番号：10A0847719

Ni-Si中の反応拡散時の原子レベルの硼素再分布

Atomic-scale boron redistribution during reactive diffusion in Ni-Si

著者 (3件)： COJOCARU-MIREDIN O. (Groupe de Physique des Materiaux, Univ. de Rouen, UMR 6634 CNRS, Avenue de l’universite, BP 12, 76801 Saint Etienne ...) ,  MANGELINCK D. (Inst. Materiaux Microelectronique Nanosciences de Provence, UMR 6242 CNRS, Fac. de Sci. et Techniques, Univ. Paul ...) ,  BLAVETTE D. (Groupe de Physique des Materiaux, Univ. de Rouen, UMR 6634 CNRS, Avenue de l’universite, BP 12, 76801 Saint Etienne ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 3  ページ： 033501  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 珪化ニッケル形成時の硼素再分布を原子プローブトモグラフィーと透過型電子顕微鏡観察により調べた。厚み30nmのNi膜を室温堆積後,7nmの非晶質相互混合領域を認めた。Ni-Si層の形成は硼素注入分布に殆ど影響を与えなかった。290°Cで1時間焼なますと,薄い(8nm)Ni残留膜の下に三種類の珪化物(Ni₂Si,NiSi,NiSi₂)を同定した。この温度での珪素豊富NiSi₂相の予想外の存在は,拡散障壁として作用すると思われるNi/Ni₂Si界面で観察した薄い酸化珪素(SiO₂)の存在で生じると考えられる。NiSi₂及びNiSi珪化物中の平均硼素プロファイルは反応前の珪素基板中のプロファイルと似ていた。幾つかの界面で硼素の偏析を検出した。少量の硼素クラスタ(1.5at.%)をNiSi,NiSi₂,Si相中に認めたが,Ni₂Si中には認めなかった。450°Cで1分間熱処理すると,NiSi相のみが存在した。濃度が3~5at.%の小板状硼素クラスタをNiSi及びSi中に認めた。Ni珪化物中の硼素の存在と小さなクラスタとしてのその析出は接触の電気的性質に影響すると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *反応拡散系 ,  再分布 ,  ホウ素 ,  *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  トモグラフィー ,  電子顕微鏡観察 ,  焼なまし ,  二酸化ケイ素 ,  偏析 ,  析出 ,  *半導体材料
準シソーラス用語： *ケイ化ニッケル ,  原子プローブトモグラフィー

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ni ,  Si ,  拡散 ,  原子 ,  硼素 ,  再分布