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J-GLOBAL ID:201002254716746180   整理番号:10A0611431

ナノ構造と微結晶VO2膜を被覆したシリコンカンチレバーの共振周波数挙動

Resonant Frequency Behavior of Silicon Cantilevers Coated With Nanostructured and Microcrystalline VO2 Films
著者 (3件):
資料名:
巻:号:ページ: 330-334  発行年: 2010年05月 
JST資料番号: W1355A  ISSN: 1536-125X  CODEN: ITNECU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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異なる平均結晶サイズの二酸化バナジウム(VO2)薄膜を被覆した,シリコン単結晶カンチレバーの被膜の絶縁膜-金属間遷移(IMT)中における共振周波数シフトとその単斜晶系相薄膜のヤング率の温度依存性について述べた。試料加熱により,IMTを誘起し,~100nmオーダの結晶サイズを有する被膜カンチレバーにおいて,室温値の4%に近い共振周波数シフトを観測した。~50nm以下の小結晶サイズのVO2薄膜を被覆したシリコンカンチレバーの場合,30~85°Cの温度範囲における共振周波数挙動は,S字形曲線(ボルツマン関数)に適合することがわかった。そのサイズより大型結晶サイズを有するVO2膜の場合,IMT領域のみにおいてS字形曲線に適合するが,他領域では,その挙動は大雑把に線形であった。この大型結晶サイズのVO2膜は,大周波数シフトと非対称ヒステリシス曲線を生じた。測定したカンチレバー共振周波数から,(011)面に沿った単斜晶系VO2の弾性率の温度依存性を得た。その結果,カンチレバーと類似構造上への被膜として用いたVO2薄膜は,電気的,熱的または光学的に同調を制御可能である,新規のマイクロスケール/ナノスケール電気機械チューナブル共振器の設計に非常に有用であることを示した。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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共振器 

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