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J-GLOBAL ID：201002254729807197   整理番号：10A0318445

10G-EPON用L帯高出力EA変調器集積DFB-LD

著者 (6件)： 森田佳道 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  大和屋武 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  石村栄太郎 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  綿谷力 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  青柳利隆 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  石川高英 (三菱電機 高周波光デバイス製作所)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2010  号： エレクトロニクス1  ページ： 269  発行年： 2010年03月02日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： EA吸収層を最適化することにより,変調時チップ端光出力7.5dBmの高出力条件において10.3Gbps-25kmで良好な伝送特性を実現した。これにより,本EMLが10G-EPON/OLT用光源として有用であることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： FTTH【通信】 ,  *光通信 ,  光変調素子 ,  高出力レーザ ,  *半導体レーザ ,  *分布帰還形レーザ ,  誤り率 ,  符号誤り
準シソーラス用語： DFBレーザ ,  EPON ,  電界吸収変調器 ,  BER【誤り率】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 10G-EPON ,  L帯 ,  高出力 ,  EA変調器 ,  集積 ,  LD