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J-GLOBAL ID：201002254751338710   整理番号：10A0964038

同調インダクタに2重DS法を用いたカスコード低雑音増幅器の線形性改善

Linearity improvement of cascode low-noise amplifiers using double DS method with a tuned inductor

著者 (4件)： PARK Chi Wan (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  AHN Youngbin (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jaehoon (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  JEONG Jichai (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： International Journal of Electronics  (International Journal of Electronics)
巻： 97  号： 7/8  ページ： 847-855  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： C0287B  ISSN： 0020-7217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同調インダクタを持つMOSFETに2重微分重畳(DS)法を用いた高度線形性低雑音増幅器(LNA)を設計した。無線受信機のLNAには高度の線形性と低雑音性が要求される。本システムでは,カスコード増幅器の補助共通ゲートにより3次相互変調歪(IMD3)成分を相殺し,5.25GHz帯に対して高い第3次インターセプトポイント(IIP3)を与える。シミュレーションの結果,このカスコードLNAのIIP3は従来のDS法を用いた場合よりも9dB改善され,利得10.5dBにてIIP3は+15dBm,雑音指数は2.4dBであった。また,消費電力は1.5Vにて6mAであった。

シソーラス用語： *低雑音増幅器 ,  *線形性 ,  相互変調 ,  MOSFET ,  雑音指数 ,  インダクタ ,  増幅器
準シソーラス用語： LDMOSFET ,  *カスコード増幅器

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 同調 ,  インダクタ ,  Ds ,  カス ,  低雑音増幅器 ,  線形性