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J-GLOBAL ID：201002254756428904   整理番号：10A0122928

GaN中のEu³⁺ルミネセンスに及ぼす成長条件の効果

Effect of growth conditions on Eu³⁺ luminescence in GaN

著者 (2件)： WANG R. (Nanoelectronics Lab., Univ. of Cincinnati, Cincinnati, OH 45221-0030, USA) ,  STECKL A.j. (Nanoelectronics Lab., Univ. of Cincinnati, Cincinnati, OH 45221-0030, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 5  ページ： 680-684  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EuドープGaN薄膜サファイア基板上にRFプラズマ支援分子ビームエピタクシー技術によりその場成長させた。Eu³⁺イオンの⁵D₀→⁷F₂放射遷移からの強い赤色発光が約622nmにおいて全試料で観測された。III/Vフラックス比(Gaフラックス),Euセル温度(Euフラックス)および成長温度のような重要成長パラメータがEu³⁺光ルミネセンスに及ぼす効果を調べた。X線回折および二次イオン質量分析測定は薄膜品質とEuドーピングプロフィルを調べるために行った。最強Eu³⁺ルミネセンスは,僅かにNリッチ条件(III/V<1)のもとで成長させたGaN:Eu薄膜で得られ,最高発光効率はGaリッチ条件(III/V≧1)のもとで成長させた薄膜で得られた。Eu³⁺ルミネセンスのための最適ドーピング濃度はIII/比条件のもとでは~(0.1-1.0)at%であった。より高い成長温度(>750°C)もEu³⁺ルミネセンス強度および効率を増大させることを見出した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ユウロピウム ,  *ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  MBE成長 ,  基板 ,  *光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  量子効率 ,  放射強度 ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *プラズマMBE

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  ルミネセンス ,  成長条件