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J-GLOBAL ID：201002254776425472   整理番号：10A0465780

一方向性凝固炉を用いた太陽電池用高純度多結晶シリコンの結晶成長

Crystal growth of high-purity multicrystalline silicon using a unidirectional solidification furnace for solar cells

著者 (4件)： GAO Bing (Kyushu Univ.) ,  CHEN Xuejiang (Kyushu Univ.) ,  NAKANO Satoshi (Kyushu Univ.) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ.)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18P-TG-12  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  太陽電池 ,  高純度物質 ,  *結晶成長 ,  炉 ,  一方向凝固 ,  炭素 ,  不純物分布
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  *多結晶シリコン

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 一方向性凝固 ,  太陽電池 ,  高純度 ,  多結晶シリコン ,  結晶成長