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J-GLOBAL ID：201002254838206667   整理番号：10A0997081

1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ

著者 (8件)： 小林亘 (NTT フォトニクス研) ,  藤原直樹 (NTT フォトニクス研) ,  藤澤剛 (NTT フォトニクス研) ,  田所貴志 (NTT フォトニクス研) ,  山中孝之 (NTT フォトニクス研) ,  荒井昌和 (NTT フォトニクス研) ,  都築健 (NTT フォトニクス研) ,  狩野文良 (NTT フォトニクス研)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2010  号： エレクトロニクスソサイエティ1  ページ： S.82-S.83  発行年： 2010年08月31日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： EA-DFBレーザの低消費電力化・低コスト化を目的として,温度耐性に優れるInGaAlAs材料を用いたEA-DFBレーザについて,我々がこれまで検討した結果をまとめた。DFBレーザ部及びEA変調器を独立に設計し,バットジョイントした素子において,10Gb/s SMF80km伝送を-25~100°Cの範囲で示した。また40Gb/s SMF2km伝送が-15~80°Cの範囲で可能であることを示した。さらに,TO-CAN型パッケージを新規に開発し,作製した素子を実装し,40Gb/sにおいても明瞭なアイ開口を確認した。これらの結果から,InGaAlAs材料を用いたEA-DFBレーザが,光通信システムの低コスト化・低消費電力化に有望であると考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *光通信 ,  光源 ,  *半導体レーザ ,  素子構造 ,  モジュール構造 ,  ICパッケージ ,  消光比 ,  温度依存性 ,  アイパターン ,  周波数特性
準シソーラス用語： *電界吸収変調器集積DFBレーザ ,  TO-CAN型パッケージ ,  周波数応答特性

分類 (2件)： 光通信方式・機器  (ND10000B) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (1件)： 半導体レーザ