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J-GLOBAL ID：201002255057920654   整理番号：10A1619470

高湿度空気中で優れた環境安定性を示すベンゾビスチアゾール系半導体共重合体

Benzobisthiazole-Based Semiconducting Copolymers Showing Excellent Environmental Stability in High-Humidity Air

著者 (3件)： OSAKA Itaru (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MCCULLOUGH Richard D. (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 44  ページ： 4993-4997  発行年： 2010年11月24日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子不足のチアゾロチアゾール環化合物と置換チオフェンのパラジウム触媒クロスカップリングにより2種のドナー-アクセプタ共重合体を合成した。シラン処理されたケイ素基板上に溶液のスピンコーティングにより薄膜を形成し,金電極を積層してOFETを作製した。X線回折によりキャラクタリゼーションを行った。電流電圧特性を測定した。キャリア移動度は0.26cm²/Vs,オンオフ比は10⁷と高い。相対湿度75%の空気中2ケ月保存で性能劣化は見られなかった。

シソーラス用語： *ポリベンゾビスチアゾール ,  *共重合体 ,  *ポリチオフェン類 ,  高分子半導体 ,  *耐湿性 ,  パラジウム触媒 ,  交差カップリング反応 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  ウエハ【IC】 ,  スピンコーティング ,  高分子薄膜 ,  金電極 ,  *FET【トランジスタ】 ,  X線回折 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  相対湿度
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  クロスカップリング ,  ケイ素基板 ,  OFET

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (3件)： 2,6-ビス[5-ブロモ-4-(2-ヘキシルデシル)-2-チエニル]ベンゾ[1,2-d:4,5-d′]ビスチアゾール ,  2,5-チオフェンジイルビス(トリメチルスタンナン) ,  2,2′-ビチオフェン-5,5′-ジイルビス(トリメチルスタンナン)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高湿度 ,  空気中 ,  環境 ,  安定性 ,  共重合体