文献

J-GLOBAL ID：201002255131549998   整理番号：10A0826849

ポリマ基板上に成長させたAlドープZnO薄膜の成長機構と特性に及ぼす厚さの効果

Growth mechanisms and thickness effect on the properties of Al-doped ZnO thin films grown on polymeric substrates

著者 (6件)： KOIDIS Christos (Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  LOGOTHETIDIS Stergios (Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  KASSAVETIS Spiridon (Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  LASKARAKIS Argiris (Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  HASTAS Nikolaos A. (Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  VALASSIADES Odisseas (Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 7  ページ： 1581-1585  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いろいろなスパッタリングパワーで成長させた各種厚みのAlドープZnO(AZO)薄膜をポリエチレンテレフタレート(PET)フレキシブル基板上に堆積した。ターゲットに加えるパワーP_tを増すと,多分誘起転位に帰せられるキャリア密度の増大が生じることを見出した。これは,これらの膜で硬度値も増大することで裏付けられた。スパッタされた化学種の高エネルギーのために誘起された応力が島状成長とそれに続く凝結と均一材料成長段階をもたらした。島状成長は欠陥誘起による移動度減少に関連するであろう。170nm以上へのAZO膜厚増大は結晶粒界における電子トラップに由来する抵抗率増大をもたらした。結論として,P_tの変化は,AZO/PET膜の構造,電気,光学および機械的特性を定義する成長機構に変化をもたらした。分光偏光解析法(SE)のような技術は膜の成長機構や性質の洞察に役立った。

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  フレキシブル基板 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  島状構造 ,  キャリア移動度 ,  結晶粒界 ,  *キャリア密度 ,  電気抵抗率 ,  偏光解析法 ,  *光学定数 ,  膜厚
準シソーラス用語： 分光偏光解析法

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリマ ,  成長 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  厚さ