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J-GLOBAL ID:201002255216056010   整理番号:10A0700218

チオール-及びアルケン-不動態化したゲルマニウムナノワイヤの耐食性

Corrosion Resistance of Thiol- and Alkene-Passivated Germanium Nanowires
著者 (2件):
資料名:
巻: 22  号: 12  ページ: 3698-3703  発行年: 2010年06月22日 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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応用上表面不動態化が不可欠であるが,同時に表面酸化の防止も必要な半導体ナノワイヤ(NW)について,アルキル及びアルカンチオール単分子層で不動態化したGeNWがかなり過酷な酸化条件下で耐性があることを報告した。チタン反応管中で超臨界状態にした無水ベンゼン(AB)にAuナノ結晶とジフェニルゲルマンとのAB溶液を噴射(反応管圧力:6.2MPa)する超臨界流体-液体-固体法でGeNWを合成した。反応系を所要温度まで冷却,各3種類のアルケン又はチオールのAB溶液を反応管内(220°C又は80°C)に噴射してNWを不動態化した。これを傾斜分離,洗浄精製後,乾燥した不動態化NW試料をXPS測定,SEM/TEM観察,及びATR-FTIR分光で特性解析し,非不動態化NW(AB噴射)と比較した。また,不動態化GeNWを下記の酸化性・腐食性環境に曝露し,XPSスペクトルとSEM像の変化から耐食性を評価した(空気,沸水,H2SO4/ジオキサン,H2O2)。アルキル-及びチオール-結合単分子層は,過酸化物曝露の場合(Ge-C結合の方がGe-S結合より少し耐酸化性が高い)を除きほぼ同等の安定性を示すことなどが分かった。
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分類 (4件):
分類
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半導体の結晶成長  ,  アルカン  ,  脂肪族チオール  ,  固体デバイス材料 
物質索引 (8件):
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