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J-GLOBAL ID：201002255248415232   整理番号：10A0994313

ゲルマニウムナノワイヤにおける側面スピン注入

Lateral Spin Injection in Germanium Nanowires

著者 (4件)： LIU En-Shao (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  NAH Junghyo (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  VARAHRAMYAN Kamran M. (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  TUTUC Emanuel (Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 9  ページ： 3297-3301  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素基板(バックゲート)/SiO₂/n型ゲルマニウムナノワイヤ/酸化マグネシウム(障壁)/コバルト電極(ソース・ドレイン)構造のナノワイヤFETを作製し,面内磁場下に電流-電圧特性を測定した。スピン分極電子の注入が観測された>80種の試料について接触抵抗窓の測定結果をマッピングした。強磁性金属接触およびトンネル障壁による接触抵抗の調節によりスピン注入に必要な伝導度マッチングが可能と推定した。スピン拡散理論に基づく解析から4.2Kにおけるスピン拡散長>100μmを推定した。ゲルマニウムがスピントロニクス材料として有望と結論した。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *注入 ,  ウエハ【IC】 ,  酸化ケイ素 ,  酸化マグネシウム ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  磁場効果 ,  電流電圧特性 ,  スピン分極 ,  キャリア注入 ,  接触抵抗 ,  写像
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  コバルト電極 ,  *スピン注入 ,  ナノワイヤFET ,  マッピング ,  電子注入

分類 (5件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  分子・遺伝情報処理  (JE15040B) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲルマニウム ,  ナノワイヤ ,  スピン注入