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J-GLOBAL ID：201002255313912826   整理番号：10A0201707

AlInN/GaN高電子移動度トランジスタの深準位過渡分光法による解析:ゲート漏洩電流の機構

Current deep level transient spectroscopy analysis of AlInN/GaN high electron mobility transistors: Mechanism of gate leakage

著者 (6件)： CHIKHAOUI W. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon INL-UMR5270, CNRS, INSA de Lyon, Villeurbanne F-69621, FRA) ,  BLUET J.-m. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon INL-UMR5270, CNRS, INSA de Lyon, Villeurbanne F-69621, FRA) ,  POISSON M.-a. (III-V Lab, Route de Nozay, 91461 Marcoussis Cedex, FRA) ,  SARAZIN N. (III-V Lab, Route de Nozay, 91461 Marcoussis Cedex, FRA) ,  DUA C. (III-V Lab, Route de Nozay, 91461 Marcoussis Cedex, FRA) ,  BRU-CHEVALLIER C. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon INL-UMR5270, CNRS, INSA de Lyon, Villeurbanne F-69621, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 7  ページ： 072107  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC基板上に有機金属化学蒸着によって成長させたAlInN/GaNから成る高電子移動度トランジスタ(HEMT)における逆ゲートバイアスの下での漏洩電流の機構を明らかにするために,Fourier変換を利用した深準位過渡分光法(FT-CDLST)と温度に依存する電流-電圧測定を組み合わせた実験を,200~400Kの温度域で行った。この温度域において,逆バイアス漏洩電流はPoole-Frenkel型の電子放出によって支配されることが分かった。CDLTS測定に基づいて,AlInN/金属界面に局在し,活性化エネルギーが0.37eVのトラップ状態を経由する漏洩電流輸送のモデルを構築した。トラップの特徴は拡張型のトラップで,おそらくAlInN障壁層内の転位に関係するものと考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *HEMT ,  深準位過渡分光法 ,  ゲート【半導体】 ,  *漏れ電流 ,  MOCVD ,  Fourier変換 ,  電流電圧特性 ,  Poole-Frenkel効果 ,  捕獲中心
準シソーラス用語： 窒化インジウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  深準位過渡分光法 ,  解析 ,  ゲート ,  漏洩電流