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J-GLOBAL ID：201002255532439613   整理番号：10A0870313

Si(100)-(2×1):H上の表面状態電荷移動過程による双安定原子の非局所的活性化

Nonlocal Activation of a Bistable Atom through a Surface State Charge-Transfer Process on Si(100)-(2×1):H

著者 (7件)： BELLEC A. (Univ. Paris Sud, Orsay, FRA) ,  RIEDEL D. (Univ. Paris Sud, Orsay, FRA) ,  DUJARDIN G. (Univ. Paris Sud, Orsay, FRA) ,  BOUDRIOUA O. (Univ. Haute-Alsace, Mulhouse, FRA) ,  CHAPUT L. (Univ. Haute-Alsace, Mulhouse, FRA) ,  STAUFFER L. (Univ. Haute-Alsace, Mulhouse, FRA) ,  SONNET Ph. (Univ. Haute-Alsace, Mulhouse, FRA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 105  号： 4  ページ： 048302.1-048302.4  発行年： 2010年07月23日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  水素化 ,  表面再構成 ,  表面準位 ,  電荷移動 ,  双安定性 ,  *原子 ,  活性化 ,  キャリア注入 ,  正孔 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  チップ ,  *水素 ,  脱着 ,  ダングリングボンド ,  *吸着
準シソーラス用語： *吸着原子 ,  ホッピング

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  電荷 ,  移動過程 ,  双安定 ,  原子 ,  活性化