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J-GLOBAL ID：201002255734948250   整理番号：10A0093749

EuとSiをコドープしたGaNの電気的性質と磁気的性質

Electrical and magnetic properties of GaN codoped with Eu and Si

著者 (4件)： WANG R. (Nanoelectronics Lab., Univ. of Cincinnati, Cincinnati, Ohio 45221-0030, USA) ,  STECKL A. J. (Nanoelectronics Lab., Univ. of Cincinnati, Cincinnati, Ohio 45221-0030, USA) ,  NEPAL N. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  ZAVADA J. M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 1  ページ： 013901  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体ソースMBE技術でサファイア基板上にEuとSiをコドープしたGaN膜を成長させた。Siの取り込みがGaN:Eu薄膜を高い抵抗を持つものからn型伝導性に変えたが,通常のSiドープGaN膜で可能なレベルまでには達しなかった。コドープしたGaN膜の磁気的性質を交番磁場勾配磁力計で測った。全ての試料が室温でヒステリシス挙動を呈したが,Siコドーピングに強く依存していた。低から中程度のSiドーピングレベルでは高い電気伝導率を示した膜についてほぼ9倍の飽和磁化の増加を観測したが,それはまた異常Hall効果も見せた。371nmでの照射下では全ての試料の飽和磁化に増加を観測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 磁力計 ,  基板 ,  *ユウロピウム ,  *ケイ素 ,  交流磁場 ,  ヒステリシス ,  飽和磁化 ,  異常Hall効果 ,  照射 ,  *窒化ガリウム ,  *電気的性質 ,  電気伝導率 ,  化合物半導体 ,  *磁気的性質
準シソーラス用語： *コドーピング ,  サファイア基板 ,  交番磁場

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Eu ,  Si ,  GaN ,  電気的性質 ,  磁気的性質