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J-GLOBAL ID：201002255781764397   整理番号：10A0981479

ナローギャップ半導体FeSb₂の磁化過程

Magnetization Process of Narrow-Gap Semiconductor FeSb₂

著者 (4件)： KOYAMA Takehide (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  NAKAMURA Hiroyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KOHARA Takao (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  TAKAHASHI Yoshinori (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 79  号： 9  ページ： 093704.1-093704.4  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁化率が異常な温度依存性を示すナローギャップ半導体FeSb₂の高品質単結晶の磁化を測定した。慣用のStoner-Wohlfath理論では,磁化の自由エネルギーの四次展開係数(γ)はFermi準位付近の状態密度曲線から主に決定され,ナローギャップ半導体では負のγ値が予想される。しかしFeSb₂では,γは正で温度と共に急速に変化することが分かった。これらの挙動はFeSiのものに似ており,Takahashiのスピン揺らぎ理論と定性的に一致する。これは巡回電子系の磁化過程がスピン揺らぎの相関モードにより支配されることを意味する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  *化合物半導体 ,  アンチモン化物 ,  磁化率 ,  温度依存性 ,  *磁化 ,  自由エネルギー ,  Fermi準位 ,  状態密度 ,  スピンゆらぎ ,  *電子系 ,  遍歴電子模型
準シソーラス用語： 巡回電子模型 ,  *ナローギャップ半導体 ,  鉄化合物得 ,  *巡回電子系

分類 (1件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナローギャップ半導体 ,  磁化過程