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J-GLOBAL ID：201002255832526739   整理番号：10A0918514

MgO/CoFeBから成る二層におけるホウ素の拡散のx線光電子分光法による深さ分析

Depth analysis of boron diffusion in MgO/CoFeB bilayer by x-ray photoelectron spectroscopy

著者 (12件)： LU Y. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, Campus Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France and ...) ,  LEPINE B. (Equipe de Physique des Surfaces et Interfaces, IPR, UMR 6251, CNRS-Universite de Rennes 1, Batiment 11C, 35042 ...) ,  JEZEQUEL G. (Equipe de Physique des Surfaces et Interfaces, IPR, UMR 6251, CNRS-Universite de Rennes 1, Batiment 11C, 35042 ...) ,  ABABOU S. (Equipe de Physique des Surfaces et Interfaces, IPR, UMR 6251, CNRS-Universite de Rennes 1, Batiment 11C, 35042 ...) ,  ALNOT M. (Dep. Physique de la Matiere et des Materiaux (P2M), UMR 7198, Inst. Jean Lamour, Boulevard des Aiguillettes, BP 239 ...) ,  LAMBERT J. (Lab. de Chimie Physique et Microbiologie pour l’Environnement, CNRS UMR 7564, Nancy-Universite, 405 rue de ...) ,  RENARD A. (Lab. de Chimie Physique et Microbiologie pour l’Environnement, CNRS UMR 7564, Nancy-Universite, 405 rue de ...) ,  MULLET M. (Lab. de Chimie Physique et Microbiologie pour l’Environnement, CNRS UMR 7564, Nancy-Universite, 405 rue de ...) ,  DERANLOT C. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, Campus Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France and ...) ,  JAFFRES H. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, Campus Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France and ...) ,  PETROFF F. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, Campus Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France and ...) ,  GEORGE J.-m. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, Campus Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France and ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 4  ページ： 043703  発行年： 2010年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgO/CoFeBから成る二層におけるホウ素(B)の拡散を,x線光電子分光法による深さ分析によって研究した。350°Cでアニーリングを行うと,MgOの障壁内に高濃度のB(B/Mg=0.16)が拡散することが分かった。MgO内のホウ素は高度に酸化されたB³⁺状態で,障壁層全域に亘って均一に分布していることが判明した。MgOへの重要なBの拡散は,下地のCoFeB/Ru界面から始まり,アニーリングの過程においてMgO障壁内にホウ素原子を拡散させるCoFeBの結晶化プロセスに関係づけられることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化マグネシウム ,  コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  ホウ素含有合金 ,  金属間化合物 ,  多層 ,  *ホウ素 ,  *固体内拡散 ,  誘電体薄膜 ,  磁性薄膜 ,  X線光電子スペクトル ,  焼なまし ,  結晶化
準シソーラス用語： 二層

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  二層 ,  ホウ素 ,  拡散 ,  X線光電子分光法 ,  深さ分析