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J-GLOBAL ID：201002255858044830   整理番号：10A0163692

SiO₂誘電体ターゲットの高周波マグネトロンスパッタリングにおける2重円環状侵食パターンの形成および均一性の検討

Formation of a Double Circular Erosion Pattern on SiO₂ Dielectric Target and Its Effect to Utilization Rate in RF Magnetron Sputtering

著者 (3件)： 須崎嘉文 (香川大 工) ,  宮川勇人 (香川大 工) ,  江島正毅 (香川大 工)
資料名： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
巻： 76  号： 2  ページ： 178-182  発行年： 2010年02月05日 
JST資料番号： F0268B  ISSN： 1348-8716  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では高周波マグネトロンスパッタリングで,SiO₂誘電体ターゲットでは2重円環状侵食パターンになることを実験で観測し,定性的理論と一致することを確認した。また実験過程でターゲットとガードリングの間にギャップを作ることにより,2重円環状侵食パターンに変化の起こることを確認した。これにより得た主な知見を次に示した。1)SiO₂の厚さが大きいほど,またギャップが大きいほど,2重円環状侵食パターンが得られ,SiO₂の厚さが小さいほど,またギャップが小さいほど1重円環状侵食パターンとなること,2)SiO₂の厚さが大きくなると絶縁状態がよくなるため,侵食深さは小さくなること,またギャップが大きくなるとAr⁺イオンがターゲットクランプ側に導かれるため,Ar⁺イオンの帯電領域が広くなり,その結果侵食深さが小さくなること,3)2重円環状侵食パターンを得ることで侵食深さの分散の値は小さくなり均一性が向上するが,全体としての侵食深さは減少すること,4)侵食深さが大きく,かつ2重円環状が鮮明なターゲット侵食パターンにするにはSiO₂の厚さとギャップでバランスをとるとよいこと。

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *二酸化ケイ素 ,  誘電体 ,  ターゲット ,  *浸食 ,  *円環 ,  *パターン形成 ,  二重構造 ,  サイズ効果 ,  リング ,  固体回路部品 ,  間隙 ,  均一性
準シソーラス用語： ガードリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiO2 ,  誘電体 ,  ターゲット ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  円環状 ,  侵食 ,  均一性