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J-GLOBAL ID：201002255911245010   整理番号：10A0728611

パターン化GaAsナノピラーを用いたハイブリッド共役高分子太陽電池

Hybrid conjugated polymer solar cells using patterned GaAs nanopillars
著者 (8件)：
MARIANI Giacomo

MARIANI Giacomo について

(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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LAGHUMAVARAPU Ramesh B.

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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TREMOLET DE VILLERS Bertrand

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(Dep. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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SHAPIRO Joshua

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA について

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SENANAYAKE Pradeep

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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LIN Andrew

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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SCHWARTZ Benjamin J.

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(Dep. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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HUFFAKER Diana L.

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California at Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

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巻： 97  号： 1  ページ： 013107  発行年： 2010年07月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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本研究では,選択領域有機金属化学蒸着を用いて,パターン化GaAs基板上に成長したポリ(3-ヘキシルチオフェン)被覆GaAsナノピラーに基づくハイブリッド太陽電池を研究した。ハイブリッド太陽電池は,暗条件下で極めて低い漏れ電流(I≒45nA @-1V)と,それぞれ0.2V,8.7mA/cm2,32%の開回路電圧,短絡電流密度,曲線因子と,AM1.5G照明下でη=0.6%の電力変換効率を与えることを示した。GaAsの表面不動態化はさらなる改良を生じ,AM1.5G照明下でη=1.44%を産出した。これらの高分子/無機太陽電池の外部量子効率測定も示した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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漏れ電流

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表面

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分類 (4件)：
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(BK14040E)

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タイトルに関連する用語 (5件)：
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