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J-GLOBAL ID：201002255955716591   整理番号：10A0750730

10GHzで65%の電力付加効率をもつSi上のGaN HEMT

GaN on Si HEMT with 65% power added efficiency at 10GHz

著者 (2件)： DUMKA D.C. (TriQuint Semiconductor Texas, TX, USA) ,  SAUNIER P. (TriQuint Semiconductor Texas, TX, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 46  号： 13  ページ： 946-947  発行年： 2010年06月24日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上のAlGaN/GaN HEMTに,10GHzのときに65%の電力付加効率(PAE)を達成した。このPAEは40Vのドレイン電圧でバイアスされた400μmゲート幅トランジスタに6.1W/mmの出力電力と13.1dBの利得を達成した。このPAEの値は10GHzでのSi基板上AlGaN/GaN HEMTに知る限りはじめての記録である。エピタキシャルAlGaN/GaN層を4インチSi基板上に成長させた構造である。高電流密度と高い降伏電圧をもつ優れたDC特性を達成した。

シソーラス用語： *HEMT ,  半導体材料 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  *電力増幅器 ,  電力付加効率 ,  素子構造 ,  周波数特性 ,  電流電圧特性 ,  絶縁耐力 ,  連続レーザ ,  連続発振

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電力付加効率 ,  Si ,  GaN ,  HEMT