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J-GLOBAL ID：201002255971653710   整理番号：10A0924853

完全シリサイド化CMOS技術においてESDロバスト性を改善する屈曲Nウエル安定化レイアウト

A BENDING N-WELL BALLAST LAYOUT TO IMPROVE ESD ROBUSTNESS IN FULLY-SILICIDED CMOS TECHNOLOGY

著者 (4件)： WEN Yong-Ru (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KER Ming-Dou (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KER Ming-Dou (I-Shou Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Wen-Yi (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 857-860  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全シリサイド化NMOSのESDロバスト性を改善するため屈曲Nウエル(BNW)深安定化抵抗構造を提案し,55nm CMOSプロセスを用いて検証した。新たに提案したBNW構造をもつ完全シリサイド化NMOSは,シリサイドブロックを使用する伝統的なNウエル安定化構造よりも優れたESDロバスト性を示した。深いNウエルを更に挿入することにより,BNW構造をもつ完全シリサイド化NMOSのフィンガ間寄生基板抵抗の不均一性を緩和できて,NMOSのESDロバスト性が更に改善される。追加のプロセスやマスク層が必要なシリサイドブロックを使用しない。このBNW構造はナノスケールCMOS技術にとってコスト効果の高いESD解決策である。

シソーラス用語： ケイ化物 ,  *CMOS構造 ,  *電気保護 ,  放電 ,  静電気 ,  安定化 ,  NMOS構造 ,  素子構造 ,  *絶縁耐力 ,  集積回路 ,  ブロッキング ,  配置設計 ,  レイアウト
準シソーラス用語： ESD保護 ,  ウエル

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリサイド ,  CMOS技術 ,  ESD ,  ロバスト性 ,  屈曲 ,  安定化 ,  レイアウト