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J-GLOBAL ID：201002255993575837   整理番号：10A0640442

Si(100)基板上のセミポーラr面酸化亜鉛膜

Semipolar r-plane ZnO films on Si(100) substrates: Thin film epitaxy and optical properties

著者 (5件)： AGGARWAL Ravi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  ZHOU Honghui (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  JIN Chunming (Joint Dep. of Biomedical Engineering, Univ. of North Carolina, Chapel Hill, North Carolina 27599, USA) ,  NARAYAN J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  NARAYAN Roger J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 11  ページ： 113530  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板上の(1012)配向(r面)酸化亜鉛膜のヘテロエピタキシャル成長について報告する。膜をパルスレーザ蒸着で作成し,正方晶イットリア安定化ジルコニア(YSZ)バッファ層を用いてシリコンと酸化亜鉛の一体化を達成した。比較的高い酸素圧(約70mTorr)を持つ700~750°Cの温度で成長させた酸化亜鉛は(1012)に配向することを観測した。より低い酸素圧で蒸着した酸化亜鉛膜は,純粋に(0002)配向することを見いだした。酸素圧の役割を調べるために行った実験から,酸化亜鉛の結晶方向はYSZ層の原子終端の性質に依存することが分かった。酸化亜鉛の結晶方向が,ZnO-YSZ界面と結びついた化学的自由エネルギーによって制御されるという提案を行った。X線回折と透過型電子顕微鏡による詳細な研究から,r面酸化亜鉛膜の面内ドメインに4種類の型が存在すること示した。光学特性評価から,r面酸化亜鉛膜のフォトルミネセンスは,同様の条件で作成したc面酸化亜鉛膜のものよりも優れていることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *酸化亜鉛 ,  半導体薄膜 ,  *分極 ,  エピタクシー ,  レーザ蒸着 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  バッファ層 ,  Gibbs自由エネルギー ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  エピタキシャル成長 ,  イットリア安定化ジルコニア ,  光学特性 ,  フォトルミネセンス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  セミ ,  酸化亜鉛