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J-GLOBAL ID：201002256147245820   整理番号：10A1539023

Si(111)基板上のGaNの格子整合したヘテロエピタキシャル成長用のテンプレートとしてのGaから生じた超構造

Ga induced superstructures as templates for lattice matched hetroepitaxial growth of GaN on Si(111) substrate

著者 (3件)： KUMAR Praveen (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur, 560 064 Bangalore, IND) ,  KUYYALIL Jithesh (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur, 560 064 Bangalore, IND) ,  SHIVAPRASAD S. M. (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur, 560 064 Bangalore, IND)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 22  ページ： 221913  発行年： 2010年11月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)7×7のGaから生じた超構造相上に高品質のGaNをプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させた。Gaの吸着から生じた3種類の安定な表面相,すなわち(1×1),(6.3×6.3),及び(√3×√3)R30°をテンプレートに使って,(0001)GaN薄膜をエピタキシャル成長させた。Si(√3×√3)R30°-Ga上に成長したGaNは結晶性が高く,強い(0002)X線回折強度であり,低い全幅半値幅,低い表面粗さ,そして化学量論の表面組成を見せた。400°Cの低温で形成したこれらGaN膜の高い品質は,GaN単位胞と(√3×√3)相との整数(×2)格子整合で説明した。実験結果から,Si表面上のIII-Vヘテロエピタクシー用のテンプレートとして吸着種から生じた表面変調がもっともな方法であることが実証された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  格子整合 ,  表面再構成 ,  MBE成長 ,  表面粗さ ,  化学量論 ,  *エピタクシー ,  吸着 ,  ガリウム ,  半導体薄膜 ,  ケイ素
準シソーラス用語： *プラズマMBE ,  テンプレート【型】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  GaN ,  格子整合 ,  成長 ,  テンプレート ,  Ga