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J-GLOBAL ID：201002256206804235   整理番号：10A0933155

p型GaSbバルク結晶の伝導メカニズムに関して

On the conduction mechanism of p-type GaSb bulk crystal

著者 (1件)： EBNALWALED A.a. (Physics Dep., Fac. of Sci., South Valley Univ., Qena 83523, Egypt)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 174  号： 1-3  ページ： 285-289  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチモン化ガリウムのバルク結晶が,垂直ブリッジマン技術を使用して成長した。相形成がXRD研究で確認された。dcとac伝導度測定から,伝導メカニズムが調査された。移動度比と有効質量比が,それぞれ1.56と3.36であると計算された。測定は,同じ化合物に対して公表された結果よりも高い力率の値を明示している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Bridgman法 ,  *アンチモン化ガリウム ,  結晶場 ,  キャリア移動度 ,  *移動度 ,  電気伝導率 ,  力率 ,  X線回折 ,  *結晶 ,  *有効質量
準シソーラス用語： 結晶内電場 ,  電導度 ,  XRD

分類 (1件)： 金属の結晶構造  (BK06000V)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaSb ,  バルク結晶 ,  伝導 ,  メカニズム