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J-GLOBAL ID：201002256284248543   整理番号：10A0117824

タングステンドープ酸化スズ薄膜の構造,電気および光学特性

Investigation on structural, electrical and optical properties of tungsten-doped tin oxide thin films

著者 (4件)： HUANG Yanwei (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  LI Guifeng (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  FENG Jiahan (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  ZHANG Qun (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 8  ページ： 1892-1896  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステンドープ酸化スズ(SnO₂:W)透明導電膜を石英基板上にパルスプラズマ蒸着とポストアニーリングによって作製した。この膜の構造,化学状態,電気および光学特性をタングステンドーピング量とアニーリング温度との関係で調べた。空気中800°Cでアニールした3wt.%のタングステンドーピング膜において,6.67×10^-4Ωcmの最低抵抗率が65cm²V^-1s^-1のキャリア移動度と1.44×10²⁰cm^-3のキャリア密度とともに得られた。4.05eVから4.22eVに及ぶ光学ギャップとともに,平均透過率は可視域で86%,近赤外域で約85%を達成した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： タングステン ,  ドーピング ,  *酸化スズ ,  *透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  プラズマCVD ,  焼なまし ,  *電気抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  *光学ギャップ ,  透過率 ,  *光学定数 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  *パルスプラズマ蒸着 ,  石英基板

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： タングステン ,  ドープ ,  酸化スズ ,  薄膜 ,  光学特性