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J-GLOBAL ID：201002256353271420   整理番号：10A0449425

ストライプ状磁性多層膜における180°および360°磁壁間の相互作用

Interactions between 180° and 360° domain walls in magnetic multilayer stripes

著者 (3件)： MASCARO Mark D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  NAM Chunghee (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  ROSS C. A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 16  ページ： 162501  発行年： 2010年04月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ストライプ状Co/Cu/NiFe多層膜のNiFeおよびCo層内の360°磁壁と180°磁壁間の静磁相互作用について,マイクロ磁気シミュレーションによって研究した。200nm幅のCo(5nm)/Cu(5nm)/NiFe(5nm)ストライプでは,Co層内の360°磁壁からの漏えい磁場はNiFe層の磁気挙動に強く影響した,すなわち,逆磁区核生成を促し,磁壁伝搬を妨げる100Oe程度のピン止めポテンシャルを生じた。360°磁壁は磁気電子論理素子またはメモリ素子におけるプログラム可能ピン止めサイトとして役立つ可能性があるとした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： コバルト ,  銅 ,  ニッケル合金 ,  鉄含有合金 ,  *磁性薄膜 ,  多層膜 ,  ナノ構造 ,  *磁壁 ,  漏れ磁束 ,  シミュレーション ,  磁化反転 ,  核形成 ,  伝搬 ,  ピン止め ,  ポテンシャル ,  論理素子 ,  *相互作用
準シソーラス用語： スピンバルブ構造 ,  ナノストライプ ,  マイクロ磁気シミュレーション ,  磁性多層膜 ,  静磁相互作用 ,  漏洩磁束

分類 (1件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁性多層膜 ,  磁壁 ,  相互作用