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J-GLOBAL ID：201002256405972686   整理番号：10A0253080

Si基板上の配向ナノ構造GaN膜からの超低閾値の電界放出

Ultralow-threshold field emission from oriented nanostructured GaN films on Si substrate

著者 (7件)： ZHAO Wei (Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  WANG Ru-zhi (Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  SONG Xue-mei (Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  WANG Hao (Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  WANG Bo (Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  YAN Hui (Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  CHU Paul K. (Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 9  ページ： 092101  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に一連のナノ構造GaN膜を作製した。電界放出測定から,厚み40nmの配向したナノ構造GaN膜の閾値が1mA/cm²において1.2V/μmと極めて低く,放出電流は2.8V/μmにおいて40mA/cm²と安定していることを示した。これらはカーボンナノチューブと同程度である。弾道電子輸送を伴う分極電界放出による増強機構を提唱し,この超低閾値電界放出現象の起源を説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ナノ構造 ,  閾値 ,  *電界放出 ,  *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  弾道電子 ,  エレクトロトランスポート ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  電子輸送

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  配向 ,  ナノ構造 ,  GaN ,  閾値 ,  電界放出