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J-GLOBAL ID：201002256465454633   整理番号：10A1108801

ポリシリコン漏洩モードMSMフォトディテクタのAC性能

AC Performance of Polysilicon Leaky-Mode MSM Photodetectors

著者 (4件)： POWNALL Robert (Colorado State Univ., CO, USA) ,  KINDT Joel (Colorado State Univ., CO, USA) ,  NIKKEL Phil (Fort Collins, CO, USA) ,  LEAR Kevin L. (Colorado State Univ., CO, USA)
資料名： Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)
巻： 28  号： 17-20  ページ： 2724-2729  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： H0922A  ISSN： 0733-8724  CODEN： JLTEDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標準CMOSプロセスに適合する導波路結合検出器は光インタコネクト用に関心を集めている。ここでは,標準CMOSプロセスで作製したポリシリコン金属半導体金属(MSM)フォトディテクタのパルス応答について検討した。代表的パルス応答として,半値全幅(FWHM)で1.32nsを実証した。測定値として,0.81nsもの低いパルスFWHMと10%~90%の立ち上り時間0.39nsを得た。素子のボディコンタクト再結合存在下における時間領域応答の解析的表現を示した。

シソーラス用語： *光検出器 ,  導波モード ,  *MSM構造 ,  OEIC ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  *フォトディテクタ ,  *光インタコネクト ,  光電子集積回路 ,  漏洩モード

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリシリコン ,  漏洩モード ,  MSM ,  フォトディテクタ ,  Ac