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J-GLOBAL ID：201002256552939589   整理番号：10A1539564

熱蒸着Cu₂ZnSnS₄太陽電池

Thermally evaporated Cu₂ZnSnS₄ solar cells

著者 (8件)： WANG K. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  GUNAWAN O. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  TODOROV T. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  SHIN B. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  CHEY S. J. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  BOJARCZUK N. A. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  MITZI D. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  GUHA S. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 14  ページ： 143508  発行年： 2010年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率Cu₂ZnSnS₄太陽電池を,Cu,Zn,Sn,及びSの熱蒸発によりガラス基板上に作製した。6.8%までの効率をもつ太陽電池を,1μm以下の吸収体層厚及び数分間のアニーリング時間により得た。素子の詳細な電気的分析は,素子の性能が,高い直列抵抗,電流電圧特性の”二重ダイオード”挙動,及び材料のバンドギャップ以下の活性化エネルギーをもつキャリア再結合過程により制限される開回路電圧により制限されること示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *スズ化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  *銅化合物 ,  *硫化物 ,  真空蒸着 ,  効率 ,  吸収体 ,  アニーリング【現象】 ,  電流電圧特性 ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： CZTS ,  熱蒸着 ,  ガラス基板 ,  直列抵抗

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱蒸着 ,  Cu2ZnSnS4 ,  太陽電池