文献

J-GLOBAL ID：201002256656854640   整理番号：10A0466770

低温バッファ層でアシストされた金属原子の核生成による金属/有機デバイスの完成度の高い界面

High integrity metal/organic device interfaces via low temperature buffer layer assisted metal atom nucleation

著者 (6件)： MAITANI Masato M. (Dep. of Chemistry, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  ALLARA David L. (Dep. of Chemistry, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  OHLBERG Douglas A. A. (Information and Quantum Systems Lab., Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, MS 1123, Palo Alto ...) ,  LI Zhiyong (Information and Quantum Systems Lab., Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, MS 1123, Palo Alto ...) ,  WILLIAMS R. Stanley (Information and Quantum Systems Lab., Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, MS 1123, Palo Alto ...) ,  STEWART Duncan R. (National Res. Council of Canada, Ottawa, Ontario K1A 0R6, CAN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 17  ページ： 173109  発行年： 2010年04月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH₃(CH₂)₁₁S_-/Au{111}自己組織化単分子層(SAM)膜の上にAu原子を蒸着する際,Xe凝縮をバッファ層として用いると金属/有機薄膜の鋭く,完全性の高い界面が得られることを明らかにした。原子間力顕微鏡を用いたコンダクタンス像およびトポロジカル像から,このバッファは典型的な電気的短絡フィラメントの形成および金属原子のSAMへの侵入を完全に抑制することがわかった。本堆積法は,分子エレクトロニクスデバイスに要求される高品質のトップ金属コンタクトを形成するための,再現性の高い方法である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 自己組織化 ,  *単分子層 ,  *バッファ層 ,  *核形成 ,  金 ,  キセノン ,  *金属薄膜 ,  *チオール ,  原子間力顕微鏡 ,  *コンダクタンス

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： ドデカン-1-チオール

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  バッファ層 ,  アシスト ,  金属原子 ,  核生成 ,  有機デバイス ,  界面