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J-GLOBAL ID：201002256697586366   整理番号：10A0392574

デルタ面体Ge₉^4-Zitlイオンを含むエチレンジアミン溶液からのゲルマニウム膜の陽極電着

Anodic Electrodeposition of Germanium Films from Ethylenediamine Solutions of Deltahedral Ge₉^4- Zintl Ions

著者 (2件)： CHANDRASEKHARAN Nirmala (Univ. Notre Dame, Indiana, USA) ,  SEVOV Slavi C. (Univ. Notre Dame, Indiana, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 4  ページ： C140-C145  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素-ドープSi(100)ウエハを陽極として定電流条件下でGe電着膜を作製した。電解質溶液としてデルタ面体Ge₉^n-(n=2,3,4)Zintlイオンを含むK₄Ge₉のエチレンジアミン溶液を用いた。観測された電流効率は通常の既報の陰極電気めっき法による電流効率より少なくとも2桁高かった。作製した電着膜のキャラクタリゼーションを走査型電子顕微鏡(SEM),エネルギー分散X線吸収,X線光電子分光法,質量分析法を用いて行った。その形態は中心値サイズが約225nmの凝集粒子が重なり合ったシート様構造で表せた。断面SEM観測から,膜厚は60~320nmであった。一方,100Vで定電圧電着した場合,膜厚は約6μmになり,中心粒子サイズも625nmに増大した。これらの電着膜はアモルファスであるが,高温でアニーリングすると結晶化した。

シソーラス用語： *電着 ,  *ゲルマニウム ,  ウエハ【IC】 ,  クラスタイオン ,  *相
準シソーラス用語： *Zintl相 ,  シリコンウエハ

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  電気めっき  (WC08023B) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： デルタ ,  イオン ,  エチレンジアミン ,  溶液 ,  ゲルマニウム ,  陽極 ,  電着