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J-GLOBAL ID：201002256777474887   整理番号：10A0798613

ドーパントに富む環境における単一ドーパントを通る単一電子輸送

Single-Electron Transport through Single Dopants in a Dopant-Rich Einvironment

著者 (8件)： TABE Michiharu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MORARU Daniel (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  LIGOWSKI Maciej (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  LIGOWSKI Maciej (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  ANWAR Miftahul (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  JABLONSKI Ryszard (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  ONO Yukinori (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MIZUNO Takeshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 105  号： 1  ページ： 016803.1-016803.4  発行年： 2010年07月02日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ドーパント ,  SOI構造 ,  ドーピング ,  リン ,  力顕微鏡 ,  低温 ,  キャリア捕獲 ,  *電流電圧特性 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電圧 ,  ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ケイ素 ,  半導体 ,  単一電子輸送 ,  Kelvinプローブ力顕微鏡
準シソーラス用語： ゲート電圧

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドーパント ,  環境 ,  単一電子輸送