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J-GLOBAL ID：201002256790715591   整理番号：10A0346740

低仕事関数ナノメータオーダー制御移送成形フィールドエミッタアレイ

Low work function nanometer-order controlled transfer mold field-emitter arrays

著者 (3件)： NAKAMOTO Masayuki (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  MOON Jonghyun (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  SHIRATORI Koji (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 2  ページ： C2B1  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiN及びAuのような,低仕事関数及び環境耐性エミッタ材料による極端に鋭く一様なフィールドエミッタアレイ(FEA)を,移送金属成形FEA作製法により作製し,電気推進エンジンのための,高効率,高信頼性,及び低コスト真空ナノ電子素子を実現した。チップ半径を,エミッタ材料の厚さを変えることにより,2.5から52.5nmまで直線的に制御できた。はじめて,移送金属成形FEAのターンオン電場を,チップ半径を変えることにより制御できた。ターンオン場の制御は,電界放出ディスプレイ,航空宇宙素子などのような真空ナノ電子素子の実現に関する要求の一つである。移送金属成形作製法は,鋭く一様なエミッタ形状を維持しながら,ターンオン場及びチップ半径を制御し,エミッタ材料を変えるのに有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金 ,  *仕事関数 ,  移送成形 ,  金属薄膜 ,  *膜厚 ,  チップ ,  ターンオン
準シソーラス用語： *フィールドエミッタアレイ ,  *窒化チタン

分類 (4件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  電子放出一般  (BM09010H) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 仕事関数 ,  ナノメータ ,  オーダー ,  移送成形 ,  フィールドエミッタアレイ