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J-GLOBAL ID：201002256807694860   整理番号：10A0870076

ドーパントリンの迅速熱拡散によるPtGe/Geの電子Schottky障壁高さの低下

Reduction of the PtGe/Ge Electron Schottky-Barrier Height by Rapid Thermal Diffusion of Phosphorous Dopants

著者 (8件)： HENKEL Christoph (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  ABERMANN Stephan (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  BETHGE Ole (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  POZZOVIVO Gianmauro (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  PUCHNER Stefan (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  PUCHNER Stefan (Kompetenzzentrum Automobil-und Industrieelektronik, Villach, AUT) ,  HUTTER Herbert (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  BERTAGNOLLI Emmerich (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 8  ページ： H815-H820  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSの完璧な集積化にはSchottky障壁高さ(SBH)が電子にも正孔にも低い必要がある。ゲルマニウム上の白金ゲルマニド(PtGe)のSBHをスピン-オン-ドーパントによるリンのドーピングで調整できた。リンを580°C以上で熱拡散してPtGe生成以前に高濃度リンを含むGe基板表層を形成した。元来Schottky障壁型であったダイオードにOhm接触が出現し,電子SBHが低下して0.16Vに,同時に正孔障壁は0.45Vになった。PtGe/Geの界面へのドーパントP蓄積を示すTOF-SIMSの測定と符合した。以上により無侵襲でPtGe/GeダイオードのSBHを低下でき,Geへの三次元及び平面素子にn型Ohm接触を形成する道が拓けた。

シソーラス用語： 半導体 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *ゲルマニウム ,  *Schottky障壁 ,  *白金化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *リン ,  *ドーピング ,  ドーパント ,  界面 ,  蓄積 ,  *熱拡散 ,  ポテンシャル障壁 ,  Ohm接触 ,  二次イオン質量分析 ,  表層 ,  スピンコーティング ,  調整 ,  CMOS
準シソーラス用語： TOF-SIMS ,  無侵襲的

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱拡散 ,  Ge ,  電子 ,  Schottky障壁高さ