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J-GLOBAL ID：201002256842305699   整理番号：10A0459772

高温動作用の「XBn」障壁検出器

“XBn” Barrier Detectors for High Operating Temperatures

著者 (16件)： KLIPSTEIN Philip (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  KLIN Olga (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  GROSSMAN Steve (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  SNAPI Noam (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  YAAKOBOVITZ Barak (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  BRUMER Maya (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  LUKOMSKY Inna (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  ARONOV Daniel (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  YASSEN Michael (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  YOFIS Boris (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  GLOZMAN Alex (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  FISHMAN Tal (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  BERKOWICZ Eyal (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  MAGEN Osnat (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  SHTRICHMAN Itay (SemiConductor Devices Haifa, ISR) ,  WEISS Eliezer (SemiConductor Devices Haifa, ISR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7608  ページ： 76081V.1-76081V.10  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホモ接合フォトダイオードの代替として,ヘテロ構造に基づく新しい「XBn」素子を提案した。主な違いは素子の狭バンドギャップ領域に空乏層が存在しないことで,空乏層はワイドバンドギャップ障壁材料に閉込めた。これにより,発生-再結合の暗電流への寄与はほぼ完全に抑制され,素子の動作温度が標準の素子に比べて上昇した。InAsSb光子吸収層とAlSbAs障壁層を持つGaSb基板上のXBn素子の開発を進めている。約4μmのバンドギャップ波長を持つ素子の光学的性質と電気的性質を測定した。

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  *素子構造 ,  バンドギャップ ,  暗電流 ,  ヒ化物 ,  アルミニウム化合物 ,  被覆層 ,  アンチモン化ガリウム ,  光検出器アレイ ,  イメージセンサ ,  *半導体材料 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  障壁層

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高温動作 ,  障壁 ,  検出器