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J-GLOBAL ID：201002256879635346   整理番号：10A1153532

CuO薄膜を用いた室温でのサブppmH₂S検出

Sub-ppm H₂S sensing at room temperature using CuO thin films

著者 (8件)： RAMGIR N.s. (Technical Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  GANAPATHI S. Kailasa (Technical Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  KAUR M. (Technical Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  DATTA N. (Technical Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  MUTHE K.p. (Technical Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  ASWAL D.k. (Technical Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  GUPTA S.k. (Technical Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  YAKHMI J.v. (Technical Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 151  号： 1  ページ： 90-96  発行年： 2010年11月26日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶アルミナ基質に熱蒸発法で沈積させたCuを酸化してCuO膜を調製した。さまざまなガス(Cl₂,H₂S,NH₃,CH₄,CO,NO)のセンシング特性を調べた。CuO膜はH₂Sに対し高度に特異的に応答し,応答は三段階(低濃度(100~400ppb),中濃度(500ppb~50ppm),高濃度(>50ppm))に分かれた。低濃度では応答曲線は可逆的で応答時間と回復時間が非常に短く(~60s,~90s),サブppmH₂S検出に適した。吸着酸素によるH₂Sの酸化による検出機構であった。H₂Sが高濃度のときはCuO表面グレインがCuSに変わり,不可逆応答した。中間濃度ではH₂Sの酸化とCuS生成機構で応答した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化銅 ,  薄膜 ,  *硫化水素 ,  X線光電子分光法 ,  化学吸着 ,  硫化銅 ,  反応機構 ,  濃度依存性 ,  応答時間 ,  選択性 ,  *ガスセンサ ,  *電気抵抗 ,  真空蒸着 ,  酸化
準シソーラス用語： XPS ,  化学選択性 ,  酸化物薄膜

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  分析機器  (CC02020S) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： CuO ,  薄膜 ,  室温 ,  サブ