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J-GLOBAL ID：201002256952410234   整理番号：10A0135670

ウルツ鉱型InN薄膜における縦光学フォノンとプラズモンとの静電結合

The electrostatic coupling of longitudinal optical phonon and plasmon in wurtzite InN thin films

著者 (5件)： CHANG Y.-m. (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  LIOU S. C. (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  CHEN C. H. (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  LEE H.-m. (Dep. of Physics, National Tsing-Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  GWO S. (Dep. of Physics, National Tsing-Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 4  ページ： 041908  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コヒーレント縦光学フォノンを光学ナノプローブに使って,ウルツ鉱型c面InN薄膜のプラズモン挙動を調べた。InNバルク中の3次元電子ガスからInN薄膜中の2次元電子ガスへの転移を,コヒーレントA₁(LO)フォノンとプラズモン結合モードとの結合強度を測定して明らかにした。結合強度は,膜厚が減少すると低下し,最後に3±1nmで零になった。この現象はA₁(LO)周波数以上にサブバンド間プラズモン周波数が離調することから生じることを示した。離調はInN薄膜中への電子量子閉込めから起こる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ウルツ鉱型結晶 ,  *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  フォノン ,  *プラズモン ,  電子ガス ,  二次元電子ガス ,  半導体薄膜 ,  膜厚 ,  離調 ,  量子閉込め ,  光高調波 ,  ポンププローブ法
準シソーラス用語： *光学フォノン

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウルツ鉱 ,  InN ,  薄膜 ,  縦光学フォノン ,  プラズモン ,  静電結合