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J-GLOBAL ID:201002256956553927   整理番号:10A0356228

Ga(AsBi)中のクラスタ化効果

Clustering effects in Ga(AsBi)
著者 (13件):
資料名:
巻: 96  号: 13  ページ: 131115  発行年: 2010年03月29日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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Ga(AsBi)試料からの光ルミネセンスをポンプパワーと格子温度の関数として調べた。不規則性に関連した特徴をモンテカルロシミュレーションにより解析した。二尺度手法を導入してクラスタ限局化効果と合金無秩序効果を個別に考慮した。実験とシミュレーションを詳細に比較し,対応する特性エネルギー尺度11meVと45meVを導いた。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (2件):
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