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J-GLOBAL ID：201002256966583840   整理番号：10A0796728

ウエハレベル相互接続デバイスにおけるエレクトロマイグレーション誘発ヒロックの研究

Investigation for Electromigration-Induced Hillock in a Wafer Level Interconnect Device

著者 (3件)： ZHANG Yuan Xiang (Zhejiang Univ. Technol., Hangzhou, CHN) ,  LIANG Lihua (Zhejiang Univ. Technol., Hangzhou, CHN) ,  LIU Yong (Fairchild Semiconductor Corp., ME, USA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.1  ページ： 617-624  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小型・高性能化を推し進めるための電流密度の上昇により,集積回路相互接続でのエレクトロマイグレーション(EM)破壊を引き起こす可能性についてはよく知られている。EM誘発破壊の駆動源には,これまでの研究では無視されてきた電子風力,応力勾配,温度勾配,さらに原子密度勾配が存在する。そこで,EM,熱移動(TM)及び応力移動(SM)のみを考慮した従来のEMモデリング方法に対し,原子密度勾配誘起移動(ADGM)も考慮した新方法とそれに対応するEM原子密度再分布アルゴリズムを提案する。また,それを適用して,標準ウエハレベルのEM促進試験(SWEAT)構成の,異なる幅と厚さを持ったアルミニウム線のジオメトリに関するパラメータ研究を実施したので,シミュレーション結果と測定値との比較を紹介する。比較結果から,新方法でのシミュレーションは,ヒロックのための妥当な予測につながることが分かった。同じ負荷条件の下では,銅線の方がアルミニウム線に比較してより長い故障寿命(TTF)を持つことが分かった。アルミニウム線の幅や厚さが増加するに連れて,そのTTFは増加し,特に幅1.0μmを超えると,また厚さで0.9μmを超えると,TTFは急激に大きくなることが分かった。EM誘発ヒロックに関する今後の課題は,数値シミュレーションと実験の双方による,ヒロック成長評価基準と構造破壊の評価基準に関する更なる研究である。

シソーラス用語： 相互接続 ,  *エレクトロマイグレーション ,  *WSI【IC】 ,  密度 ,  勾配 ,  *温度勾配 ,  プラズマ流 ,  空孔欠陥
準シソーラス用語： *ヒロック ,  *応力勾配 ,  *原子密度 ,  *電子風

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウエハレベル ,  相互接続 ,  エレクトロマイグレーション ,  誘発 ,  ヒロック ,  研究