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J-GLOBAL ID:201002256999893209   整理番号:10A1542512

半導体製造プロセスおよび装置のクリーン化技術 デバイスの微細化に伴う異物・汚染制御技術 クリーニング,及びクリーン化技術の改善

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資料名:
巻: 20  号: 12  ページ: 5-8  発行年: 2010年12月10日 
JST資料番号: L1138A  ISSN: 0917-1819  CODEN: KTEKER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本稿では,クリーニングおよびクリーン化技術の改善が進むデバイスの微細化に伴う異物・汚染制御技術を取り上げ,縦型LP-CVD(減圧化学気相成長)装置における異物抑制技術の紹介を行った。ここではまず,縦型LP-CVD装置の反応室内における膜堆積起因の異物発生メカニズムとその低減策について説明した。引き続き,F2クリーニング技術,既存クリーニング技術の改良,他膜種へのクリーニング技術展開,クリーン化対応反応室,についてそれぞれ具体的な解説を行った。各種のエッチングデータを示すとともに,メタルフリー反応室構造の優位性(クリーニング後の金属汚染レベル)を示し,最後にクリーン化技術改善への要望事項として,異物・汚染の低減,生産性向上(ダウンタイムの短縮),ランニングコストの低減,品質ばらつき抑制,について述べた。
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
空気浄化  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  半導体集積回路  ,  気相めっき 

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