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J-GLOBAL ID：201002257068734197   整理番号：10A0728624

Geナノ結晶メモリにおける界面欠陥支援単一電子充電(及び放電)動力学

Interface defect-assisted single electron charging (and discharging) dynamics in Ge nanocrystals memories

著者 (5件)： DE SOUSA J. S. (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Ceara, 60455-900 Fortaleza, BRA) ,  PEIBST R. (Inst. of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, 30167 Hannover, DEU) ,  FARIAS G. A. (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Ceara, 60455-900 Fortaleza, BRA) ,  LEBURTON J.-p. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Dep. of Physics and Beckman Inst., Univ. of Illinois at ...) ,  HOFMANN K. R. (Inst. of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, 30167 Hannover, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 1  ページ： 013504  発行年： 2010年07月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Geナノ結晶メモリの充電及び放電動力学を測定し,全体の素子挙動を定性的に再現できる現実的な量子力学的モデルと比較した。定性的に,充電(放電)動力学は,計算により予測されるものより速(遅)かった。その違いを説明するために,量子閉じ込めナノ結晶が,入ってくる電子を収集するのに関係しているが,それらのいくつかはナノ結晶表面の欠陥に捉えられるということを提案した。充填欠陥により創られるポテンシャルは,ナノ結晶波動関数の空間分布を修正し,トンネリング酸化物へのそれらの侵入を促進し,入射遷移速度を速めた。放電過程において,ナノ結晶状態に閉じ込められた電子は,はじめ逃散するが,欠陥にあるものは,トンネルで出て行くためには,ナノ結晶状態に熱的に励起されねばならず,最後の数電子の逃散を遅くした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体メモリ ,  ナノ結晶 ,  *充電 ,  *放電 ,  *ゲルマニウム ,  動力学 ,  電子 ,  モデル ,  量子閉込め ,  表面欠陥 ,  トンネル効果

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ge ,  ナノ結晶 ,  界面欠陥 ,  支援 ,  単一電子 ,  充電 ,  放電 ,  動力学