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J-GLOBAL ID：201002257235706834   整理番号：10A0174541

FeCoHfO/AlO_x多層のフィルムの磁気特性と電気特性の改良

Improvement of magnetic characteristics and electrical properties of FeCoHfO/AlO _x multilayered films

著者 (3件)： KUO Yu-ming (Dep. of Material Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan, TWN) ,  LEE Cheng-chang (Delta Electronics, INC. 252 Shangying Road, Guishan Industrial Zone, Taoyuan County 33341, Taiwan, TWN) ,  DUH Jenq-gong (Dep. of Material Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan, TWN)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 64  号： 6  ページ： 759-761  発行年： 2010年03月31日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高透磁率磁気フィルムで,DC-DCコンバータの薄膜インダクタのインダクタンスを高めることができる。高透磁率を得るためには,実効一軸異方性場はできるだけ低すべきである。多層法(酸化物のスペーサーを入れて,磁気層をラミネートする方法)を検討して,厚膜の磁気特性を改良した。dc反応性マグネトロンスパッタリングで,FeCoHfO/AlO_x多層フィルムを作製した。絶縁体(AlO_x)層を挿入して,FeCoHfO磁気フィルムの残留応力を減少することによって,磁気弾性異方性を減少させることができた。FeCoHfO/AlO_x多層フィルムの異方性場と抵抗が明らかに改良された。9層構造[FeCoHfO(133nm)/AlO_x(10nm)]₉の最適構成で,低異方性場(H_K=65Oe)と高抵抗(ρ~1350)Ωcmが達成された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *磁性薄膜 ,  *鉄化合物 ,  *コバルト化合物 ,  *ハフニウム化合物 ,  *酸化物 ,  *酸化アルミニウム ,  *多層膜 ,  *蒸着膜 ,  スパッタ蒸着 ,  反応性スパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  透磁率 ,  残留応力 ,  電磁弾性 ,  異方性 ,  電気抵抗率 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素
準シソーラス用語： ケイ素基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層 ,  フィルム ,  磁気特性 ,  電気特性