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J-GLOBAL ID：201002257303324295   整理番号：10A0686447

マルチフェロイックBi_1-xLa_xFe_1-yCo_yO₃薄膜の構造,電気,及び磁気特性

Structural, electrical, and magnetic properties of multiferroic Bi_1-xLa_xFe_1-yCo_yO₃ thin films

著者 (4件)： YANG K. G. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yan-Sen Univ. ...) ,  ZHANG Y. L. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yan-Sen Univ. ...) ,  YANG S. H. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yan-Sen Univ. ...) ,  WANG B. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yan-Sen Univ. ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 124109  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/Ti/SiO₂/Si基板上に化学堆積法によりBi_1-xLa_xFe_1-yCo_yO₃(x=0,0.1,y=0,0.05,0.1)多結晶薄膜を堆積した。X線回折によりLa-Co同時ドープのBiFeO₃(BFO)薄膜に相転移が分かった。La-Co同時ドープのBFO薄膜に飽和誘電ヒステリシス特性が観測され,Bi_1-xLa_xFe_1-yCo_yO₃薄膜の漏れ電流機構を理解するために伝導挙動を調べた。低電場でBi_1-xLa_xFe_1-yCo_yO₃薄膜の伝導機構はオーミックが優勢であった。高電場では純粋及びLaドープBFO薄膜の伝導機構は捕獲充填制限及びPoole-Frenkel放出であり,Coドープ及びLa-Co同時ドープBFO薄膜の場合はSchottky放出であることが分かった。1から2000kHzの周波数範囲でBi_1-xLa_xFe_1-yCo_yO₃薄膜の誘電率は純粋なBFO薄膜の場合より約二倍高く,誘電損失tanδは0.07以下と低い値であった。BFO薄膜の飽和磁化はLa又はCoで,またLa-Co同時ドープでも明らかに増加することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *材料 ,  *磁気電気効果 ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  ランタン ,  コバルト ,  ドーピング ,  *誘電体薄膜 ,  誘電転移 ,  誘電分極 ,  ヒステリシス ,  残留分極 ,  抗電場 ,  漏れ電流 ,  Ohm接触 ,  Poole-Frenkel効果 ,  Schottky障壁 ,  誘電率 ,  誘電正接 ,  飽和磁化
準シソーラス用語： *マルチフェロイック ,  飽和分極 ,  誘電分散

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： マルチフェロイック ,  薄膜 ,  磁気特性