文献

J-GLOBAL ID：201002257314307562   整理番号：10A0024614

60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性

Output characteristics of AlGaN/GaN HEMTs at 60GHz frequency band

著者 (7件)： 渡邊一世 (情報通信研究機構) ,  遠藤聡 (情報通信研究機構) ,  山下良美 (情報通信研究機構) ,  広瀬信光 (情報通信研究機構) ,  三村高志 (情報通信研究機構) ,  三村高志 (富士通研) ,  松井敏明 (情報通信研究機構)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 289(CPM2009 102-133)  ページ： 149-153  発行年： 2009年11月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300GHz)で動作可能で,将来の超高速・大容量・長距離無線通信用デバイスとして期待されている。今回,AlGaN/GaN系HEMTの60GHz帯における入出力特性を評価した。入出力特性評価に用いた微細ゲートAlGaN/GaN系HEMTは,(0001)面方位SiC基板上にMOCVD法により成長したAl_0.21Ga_0.79N(18nm)/GaN(2μm)を用いて作製され,更に三層絶縁膜SiN/SiO₂/SiNを有するMIS型HEMTである。ゲート長35nm,ゲート幅50μmのAlGaN/GaN系MIS-HEMTにおいて,出力電力密度1.07W/mm(出力電力17.3dBm)を周波数60GHzで達成した。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体材料 ,  *HEMT ,  *特性 ,  密度 ,  絶縁膜
準シソーラス用語： AlGaN ,  *GaN HEMT ,  *出力特性 ,  電力密度 ,  三層絶縁膜 ,  MIS-HEMT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  出力特性