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J-GLOBAL ID：201002257335477131   整理番号：10A0994388

時間分解高エネルギーシンクロトロンX線回折のin situプローブによる半導体/電解質界面でのナノ相発生

Nanophase Evolution at Semiconductor/Electrolyte Interface in Situ Probed by Time-Resolved High-Energy Synchrotron X-ray Diffraction

著者 (7件)： SUN Yugang (Argonne National Lab., Illinois) ,  REN Yang (Argonne National Lab., Illinois) ,  HAEFFNER Dean R. (Argonne National Lab., Illinois) ,  ALMER Jonathan D. (Argonne National Lab., Illinois) ,  WANG Lin (Carnegie Inst. of Washington, Illinois) ,  YANG Wenge (Carnegie Inst. of Washington, Illinois) ,  TRUONG Tu T. (Argonne National Lab., Illinois)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 9  ページ： 3747-3753  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間分解高エネルギーシンクロトロンX線回折を用いて,単結晶n型GaAsウエハとAgNO₃水溶液の間に生成した半導体/電解質界面でのナノ相発生を研究した。GaAs基板上に異方性Agナノプレートの発生において,核生成および成長段階で差異が認められた。X線照射すると,酸化反応によってAg₇NO₁₁およびAg₃AsO₄のナノ粒子が生成した。X線照射がないときは,Agナノプレートが生成した。

シソーラス用語： 計測 ,  エネルギー ,  シンクロトロン ,  X線回折 ,  原位置試験 ,  プローブ ,  *半導体 ,  *電解質 ,  *界面 ,  相分離 ,  単結晶 ,  N型半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  ウエハ【IC】 ,  硝酸銀 ,  水溶液 ,  基板 ,  異方性 ,  ナノ構造 ,  ナノ粒子 ,  核形成 ,  成長段階 ,  X線照射 ,  酸化 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： in situ試験 ,  SEM ,  ナノプレート ,  ナノ相分離 ,  核生成 ,  高エネルギー ,  酸化反応 ,  時間分解法

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分解 ,  エネルギー ,  シンクロトロンX線回折 ,  プローブ ,  電解質 ,  界面