文献

J-GLOBAL ID：201002257352020404   整理番号：10A0772302

斜めのトレンチゲートを用いた新たなIGBTの設計

A design of Novel IGBT with Oblique Trench Gate

著者 (9件)： OH Juhyun (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHUN Dae Hwan (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Eui Bok (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Eui Bok (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  KIM Young Hwan (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  KIM Chun Keun (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  JU Byeong Kwon (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SUNG Man Young (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Yong Tae (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 57-59  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,斜めのトレンチゲートを持つ新たなIGBT構造を提案した。前記斜めのトレンチゲートIGBT(OTIGBT)は従来のIGBTよりも高い絶縁破壊電圧で,より低いオン状態の電圧降下特徴を持つ。提案したOTIGBTはpベース領域の曲面にトレンチ境界で集めた電界を分布させる。さらに,提案した構造は平面ゲートIGBTに存在するJFET領域を削減するために,オン状態の電圧降下を減らすことができる。シミュレーション結果からトレンチゲートIGBTと比べ,OTIGBTの絶縁破壊電圧が増加することを示した。トレンチゲートIGBTのオン状態の電圧降下と同様の平面ゲートIGBTよりも,オン状態の電圧降下が削減された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  *ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  絶縁破壊 ,  電圧降下 ,  接合形FET ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： JFET ,  *トレンチゲート ,  絶縁破壊電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： トレンチゲート ,  IGBT ,  設計