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J-GLOBAL ID：201002257529319170   整理番号：10A0238313

反応性マグネトロンスパッタリングにより堆積した(Cu,Li)共ドープZnO膜の室温強磁性および強誘電性特性

Room temperature ferromagnetism and ferroelectricity behavior of (Cu, Li) co-doped ZnO films deposited by reactive magnetron sputtering

著者 (9件)： ZOU C.w. (Accelerator Lab., Dep. of Physics and Key Lab. of Acoustic Photonic Materials and Devices of Ministry of Education ...) ,  ZOU C.w. (Quantum Functional Semiconductor Res. Center, Dongguk Univ., Seoul 100-715, KOR) ,  WANG H.j. (Accelerator Lab., Dep. of Physics and Key Lab. of Acoustic Photonic Materials and Devices of Ministry of Education ...) ,  YIN M.l. (Accelerator Lab., Dep. of Physics and Key Lab. of Acoustic Photonic Materials and Devices of Ministry of Education ...) ,  LI M. (Accelerator Lab., Dep. of Physics and Key Lab. of Acoustic Photonic Materials and Devices of Ministry of Education ...) ,  LIU C.s. (Accelerator Lab., Dep. of Physics and Key Lab. of Acoustic Photonic Materials and Devices of Ministry of Education ...) ,  GUO L.p. (Accelerator Lab., Dep. of Physics and Key Lab. of Acoustic Photonic Materials and Devices of Ministry of Education ...) ,  FU D.j. (Accelerator Lab., Dep. of Physics and Key Lab. of Acoustic Photonic Materials and Devices of Ministry of Education ...) ,  KANG T.w. (Quantum Functional Semiconductor Res. Center, Dongguk Univ., Seoul 100-715, KOR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 7  ページ： 906-909  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性マグネトロンスパッタリング法によりPt(111)/Ti/SiO₂基板上に,単相Zn_0.95-xCu_xLi_0.05O薄膜を調製した。XRD,XPSおよび吸収測定から膜の多結晶性およびCu²⁺イオンによるZn²⁺の置換を確認した。スパッタしたZn_0.90Cu_0.05Li_0.05O薄膜はマルチフェロイック特性を示し,6μC/cm²の残留分極を有する飽和強誘電ループおよび0.43μ_B/Cuの飽和磁化を有する飽和ループを室温で示した。これらの薄膜の強磁性と強誘電性の起源を論議した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *銅 ,  *リチウム ,  *酸化亜鉛 ,  *強磁性 ,  *強誘電性 ,  室温 ,  X線回折 ,  X線光電子スペクトル ,  紫外可視吸収スペクトル ,  *磁気ヒステリシス ,  残留分極 ,  飽和磁化 ,  誘電分極 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *マルチフェロイクス ,  *共ドーピング ,  石英基板 ,  飽和分極

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (8件)： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  Cu ,  Li ,  ドープ ,  ZnO ,  室温強磁性 ,  強誘電性